10月25日|據科技日報,光刻技術是推動集成電路芯片製程工藝持續微縮的核心驅動力之一。近日,北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術,首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分佈與纏結行為,指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。相關論文近日刊發於《自然·通訊》。為破解難題,研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術引入半導體領域。研究人員最終合成出一張分辨率優於5納米的微觀三維“全景照片”,一舉克服了傳統技術無法原位、三維、高分辨率觀測的三大痛點。
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