《路透》引述消息报道,中国记忆体生产商长江存储计划扩大生产动态随机存取记忆体(DRAM)晶片,包括用於人工智能晶片的先进版本。消息指公司正开发「硅穿孔」(TSV)先进晶片封装技术,该技术推叠DRAM以生产高频宽记忆体(HBM)晶片,同业长鑫存储已开发HBM晶片。消息亦指,长江存储考虑调配在建设中的武汉厂房内部分新设备生产DRAM晶片。
据企业登记数据商《企查查》,长江存储早前成立新公司,在武汉兴建第三间晶片厂,注册资本基础207亿元人民币。
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全球目前主要由3间公司生产HBM,包括美光(MU.US) 、南韩SK海力士及南韩三星电子。(fc/j)(美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)
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