消息面上，1）碳化硅功率半导体行业：衬底技术突破带动全链复苏。天岳先进8英寸SiC衬底全球市场份额达51.3%，6英寸价格大幅反弹，华润微SiC产品中MOS占比超70%且产线接近满载，晶升股份数据显示行业价格止跌企稳。2）AI算力芯片产业链：需求爆发拉动国产替代加速。英伟达GB200单板MLCC用量将翻倍至12000颗，寒武纪26Q1营收环比增长53%备货应对需求，海光信息深算3号DCU适配365款大模型，中芯国际晶圆ASP环比提升2.5%且Q2收入预增14%-16%。3）先进封装设备领域：三维集成技术突破驱动增长。拓荆科技混合键合设备覆盖逻辑/存储芯片，全球2.5D/3D封装市场2029年将达280亿美元，安集科技金属栅极抛光液取得3D IC突破，玻璃基板在AI加速器封装应用前景广阔。4）车规级芯片赛道：国产替代进程显著提速。南芯科技车规收入同比增140.55%，纳芯微车载SerDes芯片完成DV验证，晶合集成车规MCU导入头部车厂，中科飞测检测设备通过先进制程验证。5）FPGA与电源管理芯片：高端产品国产化突破。复旦微电1x nm FinFET制程FPGA覆盖50K-4000K逻辑资源，纳芯微高压GaN驱动批量用于AI服务器，中芯国际电源管理芯片需求受AI带动旺盛。
券商研究方面，东北证券指出，ASIC行业龙头通过整合先进制程与封装技术（如2nm设计平台及CoWoS方案），强化了在AI芯片领域的全流程交付能力，其平台化服务模式与科创芯片产业链中高端设计环节高度契合；华西证券则认为，碳化硅材料在先进封装中展现出的高热导率与低膨胀系数特性，有望成为未来CoWoS中介层关键解决方案，这与科创芯片指数成分股在半导体材料与封装技术领域的布局形成技术协同。
截止日期：05月25日10:58，指数科创芯片(000685.SH) +288.260 (+7.077%) 上涨4.13%；主要成分股普涨，寒武纪上涨8.57%，中芯国际上涨9.04%，拓荆科技上涨9.89%，海光信息上涨3.60%，华虹公司上涨12.10%；科创芯片ETF鹏华(588920.SH) +0.165 (+7.075%) 上涨4.12%。
数据显示，科创芯片(000685.SH) +288.260 (+7.077%) 前十大权重股依次为寒武纪、澜起科技、海光信息、中芯国际、中微公司、拓荆科技、佰维存储、芯原股份、源杰科技、华虹公司，合计权重占比达63.25%。该指数成分股集中分布于半导体设计、制造及设备领域，头部企业持仓集中度较高。
科创芯片ETF鹏华紧密跟踪科创芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。
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