三星電子前半導體部門總裁、現任常駐顧問慶桂顯 (Kyung Kye-hyun) 近日發言指出，儘管全球記憶體市場正處於 HBM 帶動的超級景氣循環，這波榮景可能不會持續太久。隨著中國廠商加速擴產，加上 AI 投資報酬存在不確定性，記憶體價格最快可能在 2027 年下半年開始反轉下跌。
慶桂顯 5 月 18 日在首爾出席韓國工程院 (NAEK) 第 285 屆論壇發表主題演講，全球記憶體市場正面臨供給與需求同步變化風險，轉折點最快可能落在 2027 年下半年，最晚則於 2028 年上半年出現。
中國記憶體廠大擴產 供給反轉風險升溫
慶桂顯指出，中國記憶體廠長鑫存儲 (CXMT) 與長江存儲 (YMTC) 正加速擴充產能，成為未來市場最大變數。
根據產業資料，長鑫存儲計畫於 2026 年新增 5 萬至 6 萬片晶圓產能，設備採購金額約 50 億至 60 億美元；長江存儲則已於 5 月 14 日啟動 Fab 2 廠設備管線與安裝工程招標。
市場分析認為，目前中國廠商正進入產能集中釋放階段，若新增供給於 2027 年下半年至 2028 年陸續開出，記憶體市場供需格局可能快速改變。
HBM 缺貨潮延續 但供給過剩警訊浮現
目前記憶體產業仍處於歷史高峰。SK 海力士第一季營業利益率高達 72%，三星半導體部門獲利更年增約 48 倍，主要受惠 HBM 與高階 DRAM 持續供不應求。
Omdia 數據顯示，三星與 SK 海力士 2026 年 DRAM 產能成長僅約 5% 至 8%，明顯低於需求增速。瑞銀 (UBS) 也指出，AI 帶動的 HBM 熱潮正持續擠壓傳統 DDR 產能，全球 DRAM 供需缺口預估將延續至 2027 年第四季。
不過，慶桂顯認為，眼前的嚴重缺貨與未來可能出現的供給過剩其實並不矛盾。
目前 DRAM 緊缺主要來自南韓廠商擴產保守、資本支出受限；相較之下，中國業者在擴張意願與資金投入上限制較少，未來供給釋放速度可能遠超市場預期。
AI 投資降溫恐衝擊需求
除了供給面變化，慶桂顯也警告需求端風險正在累積。
他指出，若亞馬遜 (AMZN.US) 、微軟 (MSFT.US) 等科技巨頭發現 AI 資本支出投資報酬率低於預期，可能縮減 AI 投資規模。
他預估，2028 年之後，記憶體市場不僅價格承壓，需求本身也可能開始萎縮。
此外，他也提醒南韓半導體產業存在結構性挑戰。儘管南韓掌握全球約 70% DRAM 市占，但晶片設計 (無廠半導體) 領域占比僅約 1.5%，在軟硬體同步競爭下，同時面對美中壓力將愈發困難。
他直言：「與台灣不同，韓國涵蓋晶片設計的完整半導體生態系相當脆弱。」
三星罷工要來了！
市場也關注三星勞資動向。由於三星電子與其工會之間的薪資談判破裂，三星工會週三 (20 日) 宣布，自 5 月 21 日起照常發動為期 18 天罷工，涉及超過 4.7 萬名員工，這家韓國晶片巨頭的股價下跌 3%。
三星工會代表崔承浩 (Choi Seung-ho) 週三發表聲明指出，工會已接受南韓中央勞動委員會提出的調解方案，但遭三星電子拒絕。
崔承浩表示，三星曾要求延長協商時間，但截至週三上午 11 時，三星仍表示「尚未作出決定」，最終導致談判陷入僵局。
崔承浩表示：「對於管理層決策延遲，導致調解後程序終止，我們深感遺憾。」他並強調，即使罷工展開，工會仍將持續推動協商與尋求和解。
分析師指出，若罷工導致 HBM 與高階 DRAM 短期供應受影響，現貨價格可能進一步走高；若下游客戶提前備貨，也可能提前透支 2026 至 2027 年需求，進一步加速價格轉折點到來。
不過，此次罷工影響可能有限。此前南韓法院已裁定，罷工不得干擾安全防護設施運作，也不得妨礙相關作業，以避免對生產設備及半導體晶圓造成損害。
依據南韓法律，若勞資糾紛被認定可能對經濟或民生造成重大衝擊，勞動部長可啟動「緊急調整權」，暫停罷工等工業行動最長 30 天。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網