今年第四季，一場始於上半年、本被視作階段性波動的記憶體晶片漲價潮正因 AI 驅動的需求爆發愈演愈烈，正以「超預期」重塑整個生態。
中國《財聯社》報導，一位中國記憶體模組廠資深員工說：「做了這麼多年行業，從未見過漲價週期持續這麼久。」目前記憶體市場呈現「量價齊升」的罕見態勢。
根據 CFM 快閃記憶體市場數據，DDR4 16Gb 3200 現貨報價上星期已達 13 美元，較一星期前暴漲 30%，512Gb Flash Wafer 價格自 10 月以來累計漲幅超 20%。
更關鍵的是，部分原廠已對 Dram 和 Flash 產品暫停報價，即便有報價也「一天一價」。
TrendForce 集邦諮詢分析師許家源預計，今年第四季 DRAM 整體價格 (含 HBM) 將季增 13%-18%，漲價壓力已從上游原廠蔓延至終端消費市場。
小米創辦人雷軍上周五 (24 日) 在個人微博上直言道：「記憶體漲價實在太多」，而上周四 (23 日) 發售的 Redmi K90 系列部分版本售價較上一代上調 100-400 元 (人民幣，下同)，小米總裁盧偉冰坦言成本壓力遠超預期且將持續。
此輪漲價的特殊性在於，核心驅動力並非傳統週期性波動，而是 AI 算力需求對記憶體產業供需結構的「顛覆性重構」。
在 AI 大模型訓練與推理對 GPU、伺服器等基礎設施的大量需求下，記憶體晶片進入「計畫性犧牲」階段。為保障高利潤的 HBM 及 DDR5 產能，原廠大幅削減 DDR4、LPDDR4X 等舊製程產品供應。
摩根士丹利預測，今年全球科技巨頭在 AI 基礎設施上的投入將達 4000 億美元，Yole Group 更指今年 HBM 營收恐成長近一倍至 340 億美元，2030 年前年複合成長率 (CAGR) 將維持 33%，最終超越 DRAM 市場半壁江山。
許家源解釋道，「HBM 消耗的晶圓容量是標準 DRAM 的三倍以上，在總產能有限的情況下，原廠不得不優先保供高價值產品」，並指出這直接導致 DDR4 等傳統產品陷入緊缺，漲價潮從 HBM 向全存儲市場擴散。
以金士頓 DDR4 桌上型電腦記憶體為例，價格自今年 3 月起急速攀升，目前售價超過去年同期兩倍。
產業鏈人士透露，部分原廠 DRAM 和 Flash 產品已停止報價，且價格有效期限極短，市場不確定性顯著增加。
面對這場「結構性景氣新時代」，中國記憶體產業鏈正積極調整策略，模組廠成為應對漲價的關鍵環節。
江波龍證券部人士表示，公司因提前備貨，上游漲價反而對毛利率有正向貢獻。許家源指出，8 月以來模組廠普遍加大顆粒及晶圓庫存儲備，並同步調漲模組價格。
但策略分化也存在：朗科科技採取「清庫存」模式，庫存量低於同行，業績波動性較小。
晶片設計公司與經銷商則依賴價格傳導。普冉股份正與下游客戶協商漲價，博弈四季度的供給緊張，香農芯創雖毛利穩定，但採購成本上升已透過銷售成長部分對沖。
值得關注的是，國際原廠漲價也推動部分需求轉向國內晶圓廠，為本土廠商創造市場機會。
在國產替代與 AI 浪潮雙重驅動下，中國企業正加速向高附加價值領域突圍。賽騰股份的 HBM 檢測設備已獲海外大客戶批量認可，中微公司在先進封裝領域全面佈局，涵蓋 HBM 相關刻蝕、CVD 等設備，佰維存儲的晶圓級先進封測項目即將投產，目標提供「記憶體 + 封測」一站式方案。
展望未來，許家源預測，儘管 2026 年 HBM3E 恐因產能釋放而供過於求，但技術門檻更高的 HBM4 仍將供不應求。這場由 AI 掀起的記憶體革命，不僅改寫了產業供需規則，更成為中國產業鏈升級的重要窗口。
從囤貨應對短期漲價，到押注 HBM、先進封裝等前沿領域，中國記憶體晶片產業正試圖在結構性變革中搶佔全球價值鏈新高地。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網